
Con este objetivo se utilizan nuevas tecnologías como el nuevo chip CSTBT y un nuevo diseño de control integrado. La detección del cortocircuito se realiza mediante tecnología Emisor espejo (Mirror Emitter). En comparación con el método convencional de detección de corto-circuito, esta tecnología puede reducir de forma eficiente el tiempo en el que el chip debe soportar la condición de sobre-corriente.
La tecnología del chip y la mejora en la estructura interna reducen la temperatura efectiva de la unión e incrementan la capacidad en ciclos térmicos y de potencia. Esta nueva serie mantiene la compatibilidad mecánica con las anteriores V-Series. Comparados con sus predecesora “serie V” la nueva serie V1 reduce las pérdidas de potencia en un 20% y la tensión de saturación del colector-emisor de la nueva serie “V1” es de1.85V @125°C
Estos dispositivos están protegidos contra cortocircuitos (SC), bajadas de tensión(UV) y sobretemperatura (OT). El sensor OT se encuentra localizado en la misma superficie del chip IGBT proporcionando una mayor rapidez en la respuesta a dicha alarma.
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